自1965年戈登·摩尔的预言提议于今云开体育，60年来摩尔定律成为集成电路行业越过的圭臬，捏续推动集成电路行业改动，让天下迎来深化变革。

如今，跟着生成式AI技能爆发，正加快行业从“芯片无处不在”迈向“AI芯片无处不在”，行家半导体行业随之迎来新的发展海潮，捏续开释改日后劲。据预测，到2030年行家半导体销售额将毒害1万亿好意思元。其中数据中心与边际AI需求增长尤为权贵，将占据约40%的市集份额，高性能贪图边界的增量空间成为行业增长的紧迫引擎。

但机遇背后，挑战也随之而来。

刻下AI算力需求增速已远超摩尔定律的发展节拍：AI大模子参数呈指数级增长，仅靠芯片晶体管数目/贪图智商每2年翻倍的速率，已无法满足AI大模子锻练的算力需求；与此同期，芯片能效普及速率已放缓至每两年仅普及约40%。若连续刻下趋势，到2035年锻练一个前沿AI模子所需的电力或将顿然行家总发电量。

算力与功耗的供需缺口，成为AI时期下半导体行业亟待毒害的要道课题。

交接AI时期挑战，ASML赋能改动毒害

靠近日益严峻的算力与能效挑战，AI的捏续发展亟需在模子散伙、芯片技能以及缔造与工艺等多维度兑现协同改动，推动行业在四梗概道边界谋求毒害：

高效的AI模子：以更少贪图资源锻练更多参数的模子；面向AI的高效芯片联想与架构：笔据特定的AI需求，推动集成电路系统中的能效普及；高效芯片技能：芯片晶体管微缩和能源优化更高效的集成电路分娩缔造和工艺

在这一改动体系中，光刻技能当作芯片制造的中枢方法，其越过对训斥单元算力本钱与能耗至关紧迫。

当作半导体制造的中枢缔造供应商，ASML凭借其全景光刻搞定决议系统性地优化光刻工艺中的各项中枢方针——包括良率、辨别率、精度与产能，发愤于训斥缔造在系数这个词生命周期内的使用本钱与环境踪迹。

举座而言，ASML的全景光刻技能正成为推动芯片技能与工艺改进的中枢力量。当作芯片制造毒害的要道方法，以全历程的散伙普及与性能保险，为AI时期的半导体改动提供坚实底座。

在本届进博会期间，ASML以“积纳米之微，成大千天下”为主题，要点展示了其面向主流芯片市集的全景光刻搞定决议，会通光刻机、贪图光刻和电子束量测与检测技能。通过数字化、交互式面容呈现这些技能若何协同推动AI时期下摩尔定律的捏续演进。

ASML中国区总裁沈波指出，通过2D微缩捏续减轻晶体管尺寸、普及晶体管密度与能效，以及借助3D集成进行堆叠和封装，毒害平面极限，是芯片行业在技能边界寻求改动毒害的两大中枢路线。ASML依托集光刻机、贪图光刻和光学、电子束量测与检测技能于一体的全景光刻搞定决议，发愤于普及性能与能效，以更粗劣耗和本钱兑现更高良率。

推动2D微缩，EUV加快先进制程落地

其中，为交接AI对芯片算力和能效的极致条件，行家半导体制造商正捏续推动芯片尺寸微缩，以在单元面积内集成更多晶体管。从IMEC公布的技能路线图来看，先进制程正朝着更小的金属间距与节点尺寸稳步演进。

能看到，改日15年，芯片制程将从3nm、2nm向A14、A10以及更先进的埃米节点演进，芯片架构也将沿着FinFET、NanoSheet、CFET到2DFET的成见捏续迭代，以及金属间距、互联架构和供电方式等改动技能随之快速发展。

在这一程度中，极紫外（EUV）光刻系统当作兑现芯片微缩的要道器用，已成为大齐逻辑与存储芯片的光刻技能圭臬。

同期，ASML还在通过捏续的光学改动与光刻系统升级，推动EUV技能从0.33 NA向0.55 NA高数值孔径乃至改日0.75 NA不停演进，逐渐拓宽技能欺诈窗口。High-NA EUV不仅能权贵普及成像辨别率和对比度，更能将原先需要多重曝光的复杂档次转为单次曝光完成，从而大幅简化工艺历程。

ASML通过EUV的可扩张性与技能迭代，不仅能匡助客户兑现从“多曝光”到“单曝光”的散伙跨越，更在辨别率、分娩率、本钱遗弃上变成协同上风，最终为客户带来良率普及、周期裁汰、详尽本钱着落等多重价值。

换言之，EUV技能正为行业构建起一条兼顾性能、散伙与可捏续性的明晰旅途，捏续支捏半导体行业向更末节点、更高性能迈进，助力ASML在AI时期保捏早先竞争力。

DUV，光刻边界的“架海金梁”

干系词，值得抑制的是，尽管EUV在芯片制造中备受怜惜，但在系数这个词光刻体系中，肃穆的深紫外（DUV）光刻才是真是的主力。刻下业界绝大大齐的光刻任务，也曾由i-line、KrF、ArF、ArFi等DUV光刻技能完成。

ASML在DUV边界的技能蕴蓄相通深厚，其DUV缔造通过捏续改动，在分娩力、套刻精度与工艺得当性上变成权贵上风，成为支捏光刻散伙与质地的中枢力量。以本届进博会上展示的TWINSCAN NXT:870B光刻系统为例，在升级的光学器件和最新一代磁悬浮平台的支捏下，NXT:870B可将晶圆糊涂量普及至≥400 wph的新高度，并通过多方面技能优化兑现性能毒害，为键合后的套刻和阶梯式工艺提供浩大的改造智商。

此外，ASML的DUV缔造在踏实性与弥远可用性上也展现出硬实力。举例，在DUV平台中改动性引入钻石涂层，粗略有用减少缔造磨损并蔓延使用寿命，大幅训斥缔造停机校准时辰与惊奇本钱，权贵普及产线可用性。

在精度遗弃与工艺得当性上，ASML DUV缔造的改造智商也尤为杰出。针对晶圆键合前后的形变痛苦，通过大限度计量技能捕捉晶圆形变特征，再借助光刻机曝光抵偿兑现局部图案转念，粗略将键合后套刻误差从50nm量级见效降至5nm以下，部分场景下甚而能降至2.5nm以内，完好适配晶圆-晶圆（W-W）、晶圆-芯片（D-W）羼杂键合的工艺需求，为芯片集成旅途提供紧迫支捏。

能看到，ASML通过捏续改动，确保其DUV光刻缔造在分娩力与工艺遗弃智商上保捏早先。从肃穆工艺到封装键合，ASML的DUV光刻缔造以“高效、精确、可靠”的中枢上风，为AI时期半导体芯片的限度化、高质地分娩提供坚实支捏。

先进封装崛起：ASML携XT:260光刻机满足客户需求

另一边，在AI芯片强壮需求的推动下，以台积电CoWoS为代表的先进封装技能正赶紧崛起，成为连续算力增长的要路线径。

在这一技能演进过程中，跟着芯片集成度的不停普及，CoWoS中介层尺寸捏续扩大，从早期1倍掩模版逐渐升级至3.3倍、5.5倍，改日更将迈向9.5倍掩模版规格。对此，如安在更大尺寸的掩模版上兑现高精度、高散伙的图形化制备，成为支捏CoWoS等先进封装路线落地的中枢问题。

靠近行业新挑战，ASML在最新第三季度财报上暴露的TWINSCAN XT:260光刻系统精真是入需求痛点，为先进封装边界提供支捏。

据先容，XT:260 i-line光刻机是ASML首款可行状于先进封装边界的光刻机，基于其私有的双职责台技能，通过光学系统的改动，XT:260具有大视场曝光，相较于现存机型可普及4倍分娩散伙，粗略有用普及先进封装的散伙、性能和良率，并训斥单片晶圆本钱。除先进封装外，TWINSCAN XT:260还可支捏主流市集的其他鄙俗欺诈，该系统已于本年三季度兑现了贸易发货。

从技能价值来看，XT:260连续了ASML DUV技能高效适配场景需求的中枢上风。与EUV技能、其他DUV缔造变成协同，共同构建起ASML秘密“芯片制造-封装集成”全历程的光刻搞定决议，为AI时期半导体产业链的改动提供更全面的技能支捏。

ASML全景光刻“铁三角”，构建良率保险闭环

上文提到，在泉源半导体行业向2D微缩与3D集成迈进的过程中，ASML的价值远不啻于提供EUV与DUV光刻机台，其中枢的竞争力更在于构建了秘密“光刻机台、贪图光刻、电子束量测与检测”三大支持的全景光刻（Holistic Lithography）技能体系。

这一“铁三角”协同的搞定决议，正助力行家范围内芯片制造客户在更小尺寸、更高性能、更智能化的芯片制造中毒害瓶颈，兑现更高的良率、产能与经济效益。这一全链条协同念念路成为ASML交接AI时期挑战的紧迫决议。

其中，当作“铁三角”的中枢技能支捏之一，ASML的贪图光刻技能通过先进的仿真与优化技巧，粗略预测、改造、优化和考证光刻技能的成像性能，兑现更精确的图变成像和更好的芯片分娩良率。

和贪图光刻一样，量测与检测亦然ASML为保证芯片良率而作念的进入之一，即通过光学或电子束技巧对曝光后的晶圆进行成像查验和响应，实时纠错/转念光刻工艺实时普及精度与良率，匡助模子进一步优化，为后续的制程斥地作念好准备。

跟着芯片结构日趋立体与复杂，传统光学检测已难以捕捉10nm以下的细微物理颓势，ASML的电子束量检测技能成为有用搞定决议，走漏着不成替代的作用。

同期，针对3D架构芯片中日益复杂的埋藏颓势与电学颓势，电子束电压对比度（VC）检测技能从NAND边界逐渐拓展至DRAM与逻辑芯片，通过电压信号各异识别埋层结构绝顶，满足3D集成对全维度颓势监控的需求。

在电子束量测与检测缔造方面，ASML也在捏续不停鼓动改动。eScan 1100当作ASML首款兑当今线颓势检测（涵盖物理颓势和电性颓势）的25束电子束检测系统，其晶圆量测糊涂量普及至传统单束系统的10倍以上。

该缔造在逻辑与DRAM层上的面积糊涂量上风权贵，可兑现单元时辰内扫描更多区域，这意味着能捕捉更多颓势特征，为客户在从研发到量产爬坡中提供实时监控和响应，加快良率的普及。

据悉，eScan 1100主要用于电压对比度检测。改日，ASML探讨将电子束数目扩张至2700束，进一步开释量测方法的散伙和良率后劲，为改日更严苛的制程节点作念好准备。

详尽来看，这些技能共同组成了ASML赋能芯片制造与集成的中枢智商。光刻系统捏续推动2D微缩，同期赋能先进封装与3D集成；贪图光坑诰害光学物理极限，智能优化成像；电子束、光学量测与检测是保险芯片质地的要道技能。

与此同期，ASML的全景光刻搞定决议还为3D集成的中枢键合工艺提供坚实支捏，匡助减少晶圆形变所导致的瞄准误差、保险芯片精确堆叠，并兑现更短、更快的互联，以满足客户在新兴欺诈边界日益增长的需求。

AI时期，ASML助力摩尔定律繁华新活力

靠近AI时期算力需求指数级增长、功耗挑战加重、3D集成加快鼓动的行业变局，ASML以全链条协同为中枢政策布局，依托全景光刻“铁三角”体系，既在2D缩放边界捏续毒害物理极限，破解先进节点尺寸减轻痛苦，又为3D集成提供简直赖、可扩张的举座搞定决议，化解键合形变、套刻误差等核肉痛点。

权衡改日云开体育，在AI芯片向更高集成、更复杂架构演进的程度中，ASML早已特殊单纯的技能提供者身份，成为与行家产业共同探索改日的和洽伙伴。其全景光刻，在支捏着行家半导体行业向万亿好意思元限度迈进的同期，更让摩尔定律在AI时期捏续演进，捏续为芯片改动注入能源，成为连结技能极限与AI欺诈落地的要道桥梁。